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晶体管
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IKW40N65ES5

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数量单价合计
1
¥38.2618
38.2618
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.2048
2820.48
250
¥26.7358
6683.95
500
¥23.9786
11989.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
79 A
Pd-功率耗散
230 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N65ES5XKSA1 SP001319680
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥57.856
10:¥52.2512
25:¥49.8669
100:¥43.2564
参考库存:2778
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:22855
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:22675
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A PIM
1:¥842.7088
5:¥827.1826
10:¥789.9943
25:¥763.6314
参考库存:2075
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:2267
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