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晶体管
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PGA26E19BA

  • Panasonic
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
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数量单价合计
1
¥140.5381
140.5381
10
¥131.1704
1311.704
25
¥124.5599
3113.9975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
X-GaN
系列
PGA26E19BA
商标
Panasonic
下降时间
2.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3.4 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
商品其它信息
优势价格,PGA26E19BA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥6.3167
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100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:6795
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