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晶体管
FF600R12ME4参考图片

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FF600R12ME4

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库存:4,311(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,780.4619
1780.4619
5
¥1,737.5784
8687.892
10
¥1,694.4802
16944.802
25
¥1,670.7276
41768.19
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
995 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
4050 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R12ME4BOSA1 SP000635448
单位重量
345 g
商品其它信息
优势价格,FF600R12ME4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
3,000:¥5.8308
参考库存:34332
晶体管
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥19.8202
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.7632
参考库存:4349
晶体管
MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
参考库存:66011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥248.2723
5:¥237.1305
10:¥229.6725
25:¥211.084
参考库存:3792
晶体管
IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:4171
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