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晶体管
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MW6S004NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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1
¥85.1342
85.1342
10
¥78.0717
780.717
25
¥70.9979
1774.9475
100
¥63.8563
6385.63
1,000
¥47.9459
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
增益
18 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
2 GHz
系列
MW6S004NT1
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935320257515
单位重量
280 mg
商品其它信息
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