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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	135 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	781 W
封装 / 箱体	TO-264-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
单位重量	10 g

商品其它信息

优势价格，APT50GF120LRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD25480F3T	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V P-channel FemtoFET MOSFET	1:¥3.0736 10:¥2.0792 100:¥0.99101 250:¥0.99101 1,000:¥0.76049	参考库存:3196
TSM240N03CX RFG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N Channel Power Mosfet	1:¥4.8364 10:¥3.3787 100:¥2.2374 500:¥1.3221 3,000:¥0.89157 9,000:查看	参考库存:10218
DMC4029SSD-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W	1:¥5.3788 10:¥4.5313 100:¥2.9154 1,000:¥2.3391 2,500:¥2.3391	参考库存:3881
PBSS9110Z,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13	1:¥3.6838 10:¥2.8476 100:¥1.5481 1,000:¥1.1639 4,000:¥0.99892	参考库存:1986
DMN10H170SFG-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss	1:¥4.1471 10:¥3.4691 100:¥2.1244 1,000:¥1.6385 2,000:¥1.4012	参考库存:17071