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晶体管
CSD18563Q5A参考图片

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CSD18563Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:27,530(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
2,500
¥5.2658
13164.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
116 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
CSD18563Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
单位重量
86 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18563Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 2A 1500V 13OHMS TO263
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
800:¥15.594
2,400:查看
参考库存:31820
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:261829
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
800:¥4.8816
参考库存:8567
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 1.5 mo FET
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥15.4471
250:¥14.5996
800:¥11.0627
2,400:查看
参考库存:4658
晶体管
MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:28421
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