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晶体管
SIHL630STRL-GE3参考图片

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SIHL630STRL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.3845
638.45
500
¥5.4918
2745.9
800
¥4.3392
3471.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SIH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.8 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格,SIHL630STRL-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 1A NPN low VCE sat (BISS) transi
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
5,000:¥0.62263
参考库存:5728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:7015
晶体管
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A
1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:5095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
2,000:¥0.46104
参考库存:15344
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:20775
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