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晶体管
ZTX653STZ参考图片

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ZTX653STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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库存:9,352(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.23 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
175 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX653S
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
2 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX653STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6831
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.3789
参考库存:5418
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:4634
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.5564
10:¥49.3358
25:¥47.0306
100:¥40.8834
参考库存:4942
晶体管
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
500:¥13.8312
参考库存:5030
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