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晶体管
STGWT20H60DF参考图片

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STGWT20H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存:3,978(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.8314
1783.14
250
¥16.9048
4226.2
500
¥15.142
7571
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:2759
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥153.1376
5:¥147.1486
10:¥141.6116
25:¥130.1647
参考库存:22874
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
1:¥11.6051
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:22877
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0792
参考库存:2575
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 8.7 mo FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:3269
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