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晶体管
TK7E80W,S1X参考图片

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TK7E80W,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
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数量单价合计
1
¥22.2045
22.2045
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
795 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK7E80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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