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晶体管
TK7E80W,S1X参考图片

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TK7E80W,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
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库存：3,976(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2045
22.2045
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
795 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK7E80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，TK7E80W,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFM120ATF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
4,000:¥1.7402
参考库存:5523
PSMN022-30PL,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 30A
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:19532
UJ3C065030K3S
UnitedSiC
晶体管
MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
1:¥237.7407
5:¥227.0622
10:¥219.9884
25:¥202.1683
参考库存:1946
ECH8310-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:6908
FC8V22040L
Panasonic
晶体管
MOSFET Nch+Nch MOS FET
1:¥11.3678
10:¥9.9892
100:¥7.91
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
3,000:¥4.859
参考库存:5122
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