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晶体管
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STU6N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.2037
3101.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STU6N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU6N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TIP127-BP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -100V -5A 40W
5,000:¥3.7629
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BC860BWH6327XTSA1
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1:¥1.5368
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
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100:¥0.75258
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20,000:查看
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BC846CW RFG
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1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
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IFN3958
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JFET JFET N-Channel Dual
82:¥87.4394
100:¥80.456
250:¥73.3822
500:¥68.5458
参考库存:42876
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