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晶体管
DSS60601MZ4-13参考图片

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DSS60601MZ4-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
12 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DSS60
直流电流增益 hFE 最大值
150 at 500 mA, 2 V
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散
1200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，DSS60601MZ4-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RTL020P02TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:43365
R6025FNZ1C9
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥46.104
10:¥39.1884
100:¥33.9678
250:¥32.2728
450:¥28.8941
参考库存:43368
JAN2N5664
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥260.4876
250:¥239.0515
参考库存:43371
JANTXV2N6284
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥662.971
5:¥642.8457
10:¥622.7091
25:¥594.5834
参考库存:43374
2SD2098T100S
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:43377
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