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晶体管
TIP102G参考图片

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TIP102G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN
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库存:5,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.8195
58.195
100
¥3.7516
375.16
1,000
¥3.0058
3005.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大集电极截止电流
50 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TIP102
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
20000
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TIP102G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30868
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:30871
晶体管
MOSFET BISS
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
24,000:¥0.82264
45,000:¥0.791
99,000:¥0.76049
参考库存:30874
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
1,000:¥9.379
2,000:¥8.6784
5,000:¥8.3733
10,000:¥8.0682
参考库存:30877
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
500:¥28.0466
1,000:¥23.6622
2,500:¥22.4418
参考库存:30880
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