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晶体管
AUIRF7749L2TR参考图片

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AUIRF7749L2TR

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL 55 / 60
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数量单价合计
1
¥46.7933
46.7933
10
¥39.7986
397.986
100
¥34.4989
3449.89
250
¥32.7361
8184.025
4,000
¥22.5887
90354.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-L8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
375 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
275 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
341 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.74 mm
长度
9.15 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7.1 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
185 S
下降时间
88 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
149 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
29 ns
零件号别名
SP001521068
商品其它信息
优势价格,AUIRF7749L2TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥532.5803
参考库存:29696
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
3,000:¥49.7878
参考库存:29699
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥894.1125
5:¥877.671
10:¥838.1662
25:¥810.1987
参考库存:29702
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 250mW
10,000:¥0.78422
30,000:¥0.72207
50,000:¥0.69156
100,000:¥0.66896
参考库存:29705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.17628
参考库存:29708
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