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晶体管
SUP90220E-GE3参考图片

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SUP90220E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥20.5886
20.5886
10
¥17.1308
171.308
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
1,000
¥9.605
9605
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SUP90220E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGW75M65DF2
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1:¥42.262
10:¥35.9566
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250:¥29.5043
500:¥26.5098
参考库存:2250
APT4F120K
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1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:1804
STGP10H60DF
STMicroelectronics
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1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:2659
SIS468DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:6546
BSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:6653
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