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晶体管
SIR668DP-T1-RE3参考图片

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SIR668DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:13,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.2098
152.098
100
¥11.752
1175.2
500
¥10.2943
5147.15
1,000
¥8.5315
8531.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
95 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
108 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR668DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.8024
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4803
9,000:¥1.13
参考库存:4954
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
1:¥21.9785
10:¥17.6732
100:¥16.1364
250:¥14.5205
参考库存:3056
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:5355
晶体管
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.763
10:¥4.9946
100:¥3.8872
500:¥2.9154
1,000:¥2.3504
3,000:¥2.0792
参考库存:79979
晶体管
MOSFET SM CSP SNGL N-CH MOSFET 0.8x0.8x0.1mm
1:¥4.6104
10:¥3.3335
100:¥2.1018
500:¥1.695
1,000:¥1.6159
参考库存:3854
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