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晶体管
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RSS060P05FRATB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -45V Vds -6A 0.038Rds(on) 23Qg
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.9325
59.325
100
¥3.8307
383.07
1,000
¥3.0623
3062.3
2,500
¥3.0623
7655.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
RSS060P05FRA
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 22 mo FET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
1,500:¥3.0736
参考库存:4861
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4531
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
1:¥6.4523
10:¥5.537
100:¥4.2601
500:¥3.7629
1,000:¥2.9719
3,000:¥2.825
参考库存:2096
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 0.47K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:18455
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