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晶体管
2SC5086-Y,LF参考图片

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2SC5086-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72998
2189.94
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
2SC5086
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-75-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
240 at 20 mA at 10 V
商标
Toshiba
增益带宽产品fT
7 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SC5086-Y,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -50V 250mW
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:229184
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1:¥54.7824
10:¥49.5618
25:¥47.2566
100:¥41.0303
参考库存:2331
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.1735
5:¥184.4951
10:¥178.7321
25:¥164.2794
参考库存:2399
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
4,000:¥10.9836
参考库存:9987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥415.4784
5:¥392.9575
10:¥388.5053
25:¥359.3061
参考库存:2495
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