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晶体管
STGB19NC60KDT4参考图片

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STGB19NC60KDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
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库存:4,065(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.4256
37.4256
10
¥31.8095
318.095
100
¥27.5833
2758.33
250
¥26.2047
6551.175
1,000
¥19.8202
19820.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB19NC60KDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB19NC60KDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8024
25,000:¥2.7233
参考库存:30517
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥473.1084
参考库存:30520
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥380.7422
250:¥348.7745
参考库存:30523
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V PNP 45Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
17,500:¥0.3842
28,000:¥0.3616
52,500:¥0.33787
101,500:¥0.29154
参考库存:30526
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥458.893
参考库存:30529
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