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晶体管
IRFH8316TRPBF参考图片

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IRFH8316TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
4,000
¥2.9493
11797.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
2.95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
69 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
67 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001565956
商品其它信息
优势价格，IRFH8316TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 842ESD H6327
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:5000
DDTC143ZCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21862
2SD2661T100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 12V 2A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:3492
NTD4815N-35G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8928
1,000:¥2.3052
参考库存:4372
PMN48XP,125
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:4776
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