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晶体管
SIHD6N65E-GE3参考图片

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SIHD6N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
E
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA1312-BL(TE85L,F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:29374
EMH9T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 70MA
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
8,000:¥0.91417
24,000:查看
参考库存:28094
MJD117T4G
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1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.9775
参考库存:10190
FQP13N10L
ON Semiconductor / Fairchild
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MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥8.4524
10:¥7.1868
100:¥5.5257
500:¥4.8816
1,000:¥3.8533
参考库存:7402
KSE340STU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
参考库存:11446
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