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晶体管
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IRG4IBC30WPBF

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数量单价合计
1
¥23.8204
23.8204
10
¥20.2044
202.044
100
¥17.515
1751.5
250
¥16.6788
4169.7
500
¥14.9047
7452.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
17 A
Pd-功率耗散
45 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
17 A
高度
9.1 mm
长度
10.6 mm
宽度
4.8 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533652
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IRG4IBC30WPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK17J65U(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
暂无价格
参考库存:37431
2N918/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥114.4916
200:¥104.3442
500:¥97.6659
1,000:¥89.5977
参考库存:37437
IKA15N65ET6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
暂无价格
参考库存:37440
JANTX2N3506L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:37443
JANTXV2N5151L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥152.9116
250:¥140.3121
500:¥133.5434
参考库存:37446
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