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晶体管
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FP15R12KE3G

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数量单价合计
1
¥466.8821
466.8821
5
¥456.4296
2282.148
10
¥438.5982
4385.982
25
¥424.4619
10611.5475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
100 W
封装 / 箱体
EconoPIM2-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP15R12KE3GBOSA1 SP000100425
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FP15R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1.5A Transistor
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
2,000:¥1.5255
参考库存:6061
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:21667
晶体管
MOSFET PT8PZ 30/25V VIS W/ 2X2
1:¥6.1472
10:¥5.085
100:¥3.277
1,000:¥2.6329
3,000:¥2.2261
参考库存:16860
晶体管
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1:¥270.3186
5:¥256.8038
10:¥250.0351
25:¥229.8307
参考库存:2961
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:243067
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