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晶体管
CSD87501L参考图片

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CSD87501L

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFET
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库存:7,186(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5313
453.13
500
¥4.0002
2000.1
3,000
¥2.8024
8407.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
BGA-10
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC, 40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
3.37 mm
系列
CSD87501L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.47 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
48 S, 48 S
下降时间
712 ns, 712 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
260 ns, 260 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
709 ns, 709 ns
典型接通延迟时间
164 ns, 164 ns
单位重量
3.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87501L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
2,500:¥5.4579
5,000:查看
参考库存:8397
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:4422
晶体管
IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:5063
晶体管
MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:11964
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5553
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