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晶体管
CSD87501L参考图片

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CSD87501L

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFET
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库存:7,186(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5313
453.13
500
¥4.0002
2000.1
3,000
¥2.8024
8407.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
BGA-10
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC, 40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
3.37 mm
系列
CSD87501L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.47 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
48 S, 48 S
下降时间
712 ns, 712 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
260 ns, 260 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
709 ns, 709 ns
典型接通延迟时间
164 ns, 164 ns
单位重量
3.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87501L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
参考库存:2099
晶体管
MOSFET BUK9K17-60E/LFPAK56D/REEL 7" Q
1:¥7.91
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,000:¥3.6386
1,500:¥3.6386
参考库存:5772
晶体管
MOSFET 60V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥50.6353
10:¥45.4938
100:¥37.3465
250:¥35.0413
500:¥31.8095
参考库存:1619
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥53.4038
10:¥48.3301
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1616
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
参考库存:1970
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