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晶体管
FF300R12KT4PHOSA1参考图片

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FF300R12KT4PHOSA1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
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库存:4,159(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,018.5142
1018.5142
5
¥998.5358
4992.679
10
¥951.9685
9519.685
25
¥932.0692
23301.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4P SP001056206
商品其它信息
优势价格,FF300R12KT4PHOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
5,000:¥3.9098
参考库存:23615
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -1A
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:2779
晶体管
IGBT 模块 600V 100A Dual
100:¥506.5338
参考库存:33292
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:479609
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:55707
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