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晶体管
SI2323DS-T1-E3参考图片

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SI2323DS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.5765
45.765
100
¥3.5595
355.95
500
¥2.6668
1333.4
3,000
¥2.6668
8000.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.7 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SI2323DS-E3
单位重量
40 mg
商品其它信息
优势价格，SI2323DS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MM3007
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9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:16794
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