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晶体管
IPP200N25N3 G参考图片

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IPP200N25N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:4,401(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.6409
49.6409
10
¥44.7932
447.932
25
¥42.7253
1068.1325
100
¥37.1092
3710.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPP200N25N3GXKSA1 IPP2N25N3GXK SP000677894
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP200N25N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:8919
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC
1:¥9.7632
10:¥8.3733
100:¥6.441
500:¥5.6952
800:¥4.4974
参考库存:4468
晶体管
IGBT 模块 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
1:¥38,695.0872
参考库存:4046
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:7111
晶体管
MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:4969
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