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晶体管
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2N5333

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo PNP Trans 80Vceo 6.0Vebo 2.0A
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数量单价合计
1
¥127.9386
127.9386
10
¥126.6278
1266.278
25
¥117.181
2929.525
100
¥107.6551
10765.51
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5333
直流电流增益 hFE 最大值
120
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5333 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N5333的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS800R07A2E3_B31
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,202.9155
5:¥5,119.7701
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DMN61D9UDW-7
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1:¥3.7629
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1,000:¥0.80682
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参考库存:9489
STD17NF03L-1
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1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
参考库存:6404
BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:17985
FDMS9409-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6049
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
3,000:¥4.746
参考库存:5997
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