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晶体管
CSD86336Q3DT参考图片

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CSD86336Q3DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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库存:4,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6051
116.051
100
¥9.2208
922.08
250
¥9.2208
2305.2
500
¥8.0682
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
9.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD86336Q3D
晶体管类型
Power MOSFET
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
优势价格,CSD86336Q3DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
参考库存:25504
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:4488
晶体管
达林顿晶体管 Darlington
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.6724
参考库存:86793
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220 package
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4804
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
1:¥3.7629
10:¥2.8024
100:¥1.7628
1,000:¥1.3221
3,000:¥1.13
参考库存:8911
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