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晶体管
IPA030N10N3 G参考图片

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IPA030N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 79A TO220FP-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:3,585(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.9512
40.9512
10
¥34.804
348.04
100
¥30.1936
3019.36
250
¥28.6568
7164.2
500
¥25.6623
12831.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
79 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
112 ns
典型接通延迟时间
42 ns
零件号别名
IPA030N10N3GXKSA1 IPA3N1N3GXK SP000464914
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA030N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:29237
晶体管
达林顿晶体管 NPN 120V Darlington
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:9649
晶体管
MOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
1:¥3.0736
10:¥2.034
100:¥0.99101
500:¥0.84524
3,000:¥0.50737
6,000:查看
参考库存:39186
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
2,000:¥0.79891
参考库存:2284
晶体管
MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
4,000:¥6.9043
8,000:查看
参考库存:3759
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