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晶体管
IPP120P04P4L03AKSA1参考图片

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IPP120P04P4L03AKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2
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库存：4,757(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
234 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP120P04
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IPP120P04P4L-03 IPP12P4P4L3XK SP000842300
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP120P04P4L03AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2401,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:25353
MX0912B351Y
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,510.8196
2:¥3,221.517
5:¥2,891.331
10:¥2,560.693
参考库存:25356
NVMFS6B03NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥22.6678
参考库存:25359
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:25362
NGTB50N65FL2WAG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4932
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