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晶体管
STGP30H60DF参考图片

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STGP30H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:5,090(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP30H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGP30H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:46036
晶体管
MOSFET Nch 250V 51A MOSFET
1:¥30.962
10:¥26.2838
100:¥22.826
250:¥21.6734
参考库存:46039
晶体管
MOSFET 2N7002PS/SOT363/SC-88
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
参考库存:46042
晶体管
IGBT 晶体管 600V/15A/ SPM2
暂无价格
参考库存:46045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:46048
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