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晶体管
T1G2028536-FS参考图片

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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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库存:2,828(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual P-Ch -40V ENH Min RDSon -20VGss
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:5293
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:8729
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
2,500:¥1.2882
参考库存:5248
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 1A 3-PIN
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:6251
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
4,800:¥6.5992
9,600:查看
参考库存:2788
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