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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-75-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	-
Pd-功率耗散	100 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1104
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1104,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIHD7N60E-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)	3,000:¥6.7235 6,000:¥6.4749 9,000:¥6.2263	参考库存:31832
FQD12N20LTM-F085P	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V	2,500:¥5.6161	参考库存:31835
AUIRLR3105TRL	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 55V 25A 43 mOhm Auto Logic Level MOSFET	3,000:¥4.7912 9,000:¥4.6217	参考库存:31838
PTVA102001EA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	1:¥1,046.8659 50:¥1,046.8659	参考库存:5564
SIZ720DT-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET	3,000:¥4.6782 6,000:¥4.4522 9,000:¥4.2827	参考库存:31843