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晶体管
MRF1535FNT1参考图片

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MRF1535FNT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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库存:34,982(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥210.3156
210.3156
5
¥201.0157
1005.0785
10
¥194.021
1940.21
25
¥169.274
4231.85
500
¥145.996
72998
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-6
封装
Reel
配置
Single Quad Source
高度
2.69 mm
长度
23.72 mm
系列
MRF1535N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.45 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
135 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
零件号别名
935310275528
单位重量
1.279 g
商品其它信息
优势价格,MRF1535FNT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
4,000:¥1.7176
参考库存:14258
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:2603
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V
1:¥278.7032
5:¥275.7765
10:¥257.0298
25:¥245.5038
参考库存:2521
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN & PNP
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
4,000:¥0.52206
参考库存:22268
晶体管
MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.5086
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:9876
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