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晶体管
MRF1535FNT1参考图片

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MRF1535FNT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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数量单价合计
1
¥210.3156
210.3156
5
¥201.0157
1005.0785
10
¥194.021
1940.21
25
¥169.274
4231.85
500
¥145.996
72998
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-6
封装
Reel
配置
Single Quad Source
高度
2.69 mm
长度
23.72 mm
系列
MRF1535N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.45 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
135 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
零件号别名
935310275528
单位重量
1.279 g
商品其它信息
优势价格,MRF1535FNT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
500:¥13.0628
参考库存:3903
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:6224
晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:5636
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9893
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5201
3,000:¥6.5201
参考库存:20037
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
5,000:¥3.4578
参考库存:27326
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