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晶体管
RGW80TS65DGC11参考图片

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RGW80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,446(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4935
39.4935
10
¥33.5836
335.836
100
¥29.1201
2912.01
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
214 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
3,000:¥6.9495
6,000:查看
参考库存:5639
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥8.6106
10:¥7.6501
100:¥6.0455
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:10031
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥5.7743
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
参考库存:7517
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥44.7932
参考库存:3506
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
10:¥168.0536
参考库存:3215
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