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晶体管
BCX51TA参考图片

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BCX51TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
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库存:2,656(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
2,000
¥0.66105
1322.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCX51
直流电流增益 hFE 最大值
25 at 5 mA, 2 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,BCX51TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:11594
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
2,000:¥18.2156
4,000:查看
参考库存:5524
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:3917
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:3653
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -49 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
2,500:¥5.65
参考库存:5487
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