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晶体管
FDP075N15A-F102参考图片

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FDP075N15A-F102

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数量单价合计
1
¥26.8149
26.8149
10
¥22.826
228.26
100
¥19.7524
1975.24
250
¥18.7467
4686.675
500
¥16.8257
8412.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
333 W
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP075N15A
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
FDP075N15A_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP075N15A-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥48.025
10:¥43.4146
25:¥41.4145
100:¥35.9566
参考库存:43446
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.4973
参考库存:43449
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:43452
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 35A 1200V
1:¥648.5296
5:¥636.6194
10:¥607.9626
25:¥587.6678
参考库存:3637
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:43457
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