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晶体管

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FGD3245G2-F085

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库存:25,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.4184
16046
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—射极饱和电压
1.64 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGD3245G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
13 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
FGD3245G2_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FGD3245G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.5941
10:¥14.6787
100:¥11.3678
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:7374
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:6567
晶体管
MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6444
5,000:查看
参考库存:5956
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
1:¥376.742
10:¥352.2323
参考库存:4430
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:4074
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