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晶体管
SI7460DP-T1-GE3参考图片

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SI7460DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:16,135(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.515
17.515
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.30
1130
3,000
¥11.30
33900
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI7460DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7460DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP 30V
1:¥2.7685
10:¥1.7402
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:16260
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.8986
100:¥4.5313
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
2,000:¥3.1527
参考库存:7280
晶体管
MOSFET P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.77631
参考库存:7846
晶体管
MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:14095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED PNP GP XTT
1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.78422
参考库存:10737
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