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晶体管
BC212B参考图片

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BC212B

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans 50Vcbo 100mA Ic 350mW
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.9324
39.324
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.034
2034
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
200 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
BC212B PBFREE
单位重量
206 mg
商品其它信息
优势价格,BC212B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
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参考库存:3611
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MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥35.1204
10:¥29.8885
100:¥25.8996
250:¥24.5888
参考库存:3346
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥9.7632
10:¥8.6106
100:¥6.8252
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
3,000:¥3.7855
参考库存:7971
晶体管
MOSFET PMV100ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3
1:¥3.1527
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:16454
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
250:¥47.0306
参考库存:3451
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