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2SA1727TLQ

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
2,500
¥2.3843
5960.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
12 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
120
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SA1727TLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMH13,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:12049
SSM3K16FV,L3F
Toshiba
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:24664
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.66105
参考库存:106054
RN1905FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24669
VP2206N3-G P005
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:24672
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