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晶体管
CSD13385F5T参考图片

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CSD13385F5T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N-CHANNEL FEMTOFET
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库存:2,288(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7176
171.76
250
¥1.7176
429.4
1,000
¥1.3221
1322.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
7.1 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD13385F5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.77 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
11.3 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD13385F5T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:9426
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GENERAL PURPOSE
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:568199
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 40A 1200V Welding
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:1842
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400V 100MA
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.277
1,000:¥2.6216
2,000:¥2.2148
参考库存:1981
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:10636
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