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APL502LG

  • Microsemi
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数量单价合计
1
¥383.1265
383.1265
2
¥372.674
745.348
5
¥362.3797
1811.8985
10
¥352.0063
3520.063
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-264-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
730 W
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
10.600 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:查看
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