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晶体管
KSC1008GTA参考图片

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KSC1008GTA

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.3108
13.108
100
¥0.5537
55.37
1,000
¥0.37629
376.29
2,000
¥0.29154
583.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.7 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC1008
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,KSC1008GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.22261
24,000:查看
参考库存:14693
晶体管
IGBT 晶体管 EcoSPARK2-450V Ignition IGBT
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
2,500:¥6.4184
5,000:查看
参考库存:25218
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
5,000:¥5.6274
10,000:查看
参考库存:12985
晶体管
MOSFET 30V P-Channel PowerTrench
1:¥8.9157
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,500:¥4.0906
参考库存:48714
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 1A Medium Power TRANSISTOR
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:23957
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