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晶体管
SIDR668DP-T1-GE3参考图片

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SIDR668DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
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库存:3,045(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥18.6676
186.676
100
¥14.5205
1452.05
500
¥12.6786
6339.3
3,000
¥9.7632
29289.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8DC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
95 A
Rds On-漏源导通电阻
5.05 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
7.5 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SID
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格,SIDR668DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥8.6106
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