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晶体管
STGW30M65DF2参考图片

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STGW30M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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库存:2,527(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGW30M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30V 8.0VGS 450mA
1:¥3.0736
10:¥2.2487
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
2,500:¥0.81473
8,000:¥0.76049
参考库存:8355
晶体管
MOSFET P-Chnl 45V
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:18452
晶体管
IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
1:¥46.2622
10:¥41.7987
50:¥39.8777
100:¥34.6571
参考库存:5182
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 625mW, 25V, 1500mA
1:¥1.6159
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.23843
参考库存:108557
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DUAL NP XSTR GP
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:16620
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