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晶体管
STGW30M65DF2参考图片

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STGW30M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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库存:2,527(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGW30M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
1:¥10.7576
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
2,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:5515
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:7277
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:40240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:6722
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,217.4507
5:¥1,188.1724
10:¥1,158.6681
25:¥1,142.3848
参考库存:4393
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