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晶体管
FGB3040G2-F085参考图片

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FGB3040G2-F085

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数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
800
¥8.2942
6635.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.15 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB3040G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25.6 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB3040G2_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB3040G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
1,000:¥10.7576
2,000:查看
参考库存:5721
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:7723
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
参考库存:5767
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -80V Vceo -2.5A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.3108
参考库存:6727
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:7729
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