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晶体管
FGB3040G2-F085参考图片

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FGB3040G2-F085

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库存:3,714(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
800
¥8.2942
6635.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.15 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB3040G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25.6 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB3040G2_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB3040G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
500:¥16.8257
3,000:¥16.8257
参考库存:29647
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
10,000:¥0.10735
20,000:查看
参考库存:122395
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:2637
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:3028
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:3349
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