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晶体管
BSC050N03MS G参考图片

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BSC050N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:4,328(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.5144
55.144
100
¥3.5595
355.95
1,000
¥2.8476
2847.6
5,000
¥2.8476
14238
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSC050N03MSGATMA1 BSC5N3MSGXT SP000311507
商品其它信息
优势价格,BSC050N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
1:¥269.9344
5:¥267.0981
10:¥248.9616
25:¥237.8198
参考库存:2059
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:1068
晶体管
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
1:¥8.5315
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
参考库存:2222
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,009.592
30:¥1,937.1364
参考库存:31681
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥921.0856
5:¥902.9491
10:¥860.834
25:¥842.7766
参考库存:1043
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