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晶体管
STGP10H60DF参考图片

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STGP10H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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库存:2,659(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0964
7096.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP10H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650mW 20V
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:15181
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.7007
1,000:¥2.1583
2,500:¥1.8193
参考库存:12358
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
1:¥6.6896
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
2,500:¥3.0284
参考库存:5620
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
参考库存:10218
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥34.1938
10:¥29.041
100:¥25.199
250:¥23.8995
800:¥18.0574
2,400:查看
参考库存:3680
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