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晶体管
STGP10H60DF参考图片

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STGP10H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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库存:2,659(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0964
7096.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP10H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥2.0905
参考库存:4296
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.7235
3,000:¥6.7235
参考库存:3533
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.4469
10:¥9.4468
100:¥7.2659
500:¥6.2602
1,000:¥4.9381
3,000:¥4.9381
参考库存:11930
晶体管
MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:19415
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
1:¥5.8421
10:¥4.9042
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.1357
参考库存:3191
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